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Si6924AEDQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
25
20
15
V GS = 5 thru 2,5 V
25
20
15
10
2V
10
5
0
5
0
T C = 125 °C
25 °C
- 55 °C
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.05
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
5
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
V DS = 10 V
0.04
4
I D = 4.6 A
0.03
V GS = 2.5 V
3
0.02
0.01
0.00
V GS = 3 V
V GS = 4.5 V
2
1
0
0
4
8
12
16
2 0
0
1
2
3
4
5
6
7
1.8
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
20
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
1.6
V GS = 4.5 V
I D = 4.6 A
10
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
www.vishay.com
4
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72215
S-81056-Rev. B, 12-May-08
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